За допомогою напівемпіричного методу MNDO-РМЗ досліджено вплив адплівок елементів V групи на геометричні та електронні властивості поверхні Si(001). При малих ступенях покриття theta <= 0,5 моношару (MIII) елементи V групи пасивують поверхню Si. Реконструкції поверхні кремнію при цьому не відбувається. При більших ступенях покриття theta >= 1 МШ відбувається реконструкція поверхні Si і атоми кремнію під шаром покриття утворюють структуру (1 times 1). Релаксація підкладки Si відбувається у перших трьох її шарах. Самі шари As, Sb і Bi формують структуру (1 times 2). Довжини зв'язків узгоджуються із значеннями, що їх було отримано іншими методами. Вперше систематизовано величини перенесеного заряду і дипольного момента при адсорбції трьох елементів V групи. Найбільший заряд передається під час адсорбції Bi ( Q = + 0,37 e). Дипольний момент систем відносно чистої поверхні Si в перерахунку на один атом адсорбату при ступені покриття порядку 1 МШ змінюється від - 0,54 Д для Si(100) : As до - 0,97 Д для Si(100) : Sb = + 2,26 Д для Si(100) : Bi.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)
• П'ятницький Масим Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"