Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей обусловленных углеродом полос люминесценции в GaAs от температуры и интенсивности возбуждения / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 42-56. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Проведены в нелегированных полуизолирующих кристаллах арсенида галлия детальные измерения зависимостей интенсивностей индуцируемых углеродом межпримесной и примесной полос люминесценции (положение соответствующих максимумов излучения hnum = 1,490 и 1,493 эВ) от температуры (T = 4,8 symbol Ш 77 K) и интенсивности освещения [L = 1018 symbol Ш 1020 квантов/(см2 . c)] и их сравнение с ожидаемыми теоретическими. Показано, что наблюдаемые при вариации T и L изменения интенсивностей углеродных полос люминесценции качественно согласуются с ожидаемыми теоретически. Количественное сравнение изменений при различных T и L экспериментальных и теоретических зависимостей интенсивностей углеродных полос люминесценции затруднено, так как не известно большинство рекомбинационных параметров мелких доноров и акцепторов, участвующих в формировании углеродных полос люминесценции. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|