У рамках моделі, що враховує електронно-деформаційний зв'язок, для випадку іонного легування розраховано розподіл домішки за глибиною від поверхні напилення та залежності коефіцієнта дифузії D(x) від відстані до межі пружності кристалічної матриці x_c для різних ступенів заповнення зони провідності. Показано, що в різних областях кристалічної матриці дифузія легуючої домішки із збільшенням ступеня заповнення може посилюватись (x₀ <= x <= x_c) або послаблюватись (x_с <= x <= x_inf).

• Пелещак Роман Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"