Досліджено електричні та фотоелектричні властивості ниткоподібних кристалів (НК) GaSb p-типу, вирощених у газотранспортній системі GaSb - I, з rho = 0,01 symbol Ш 0,05 Ом ^. см і шириною грані a = 10 symbol Ш 100 мкм. З'ясовано вплив низькотемпературного термовідпалу (T = 210 і 280 °C, DELTAt = 100 і 150 год) на зміну приповерхневих параметрів НК. Виявлено розмірні ефекти, тобто залежність sigma = f(a). Концентрація і рухливість носіїв з температурою змінюються слабо. Найвищі значення mu властиві для НК з малими діаметрами (до 600 cм²/(В ^. с) для p = 10¹⁷ см^-3). За результатами фотоелектричних досліджень визначено стаціонарні та кінетичні часи життя нерівноважних носіїв заряду; оцінено швидкість поверхневої рекомбінації та величину шуму. Отримано активаційні нахили параметрів з енергіями 15 - 100 меВ.

• Вірт Ігор Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"