Проведен анализ влияния глубины поглощения излучения k^-1, длины диффузии неосновных носителей заряда L_D = A^-1 и скорости поверхностной рекомбинации S на толщину того информационного слоя Z_i полупроводника, в котором формируются важнейшие фотоэффекты. Установлено, что наибольшее влияние на величину Z_i эти параметры оказывают при условии, когда их значения умеренны и близки друг к другу. Показано, что зависимость Z_i от S проявляется не во всем диапазоне изменений параметров k^-1 и L_D : минимальное влияние S проявляется при условиях как k -> 0, так и k -> inf. Обращено внимание на тот факт, что в случае, когда один из параметров значительно превалирует над двумя другими (стремится к бесконечности), величина Z_i становится неизменной и перестает зависеть от него.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"