Предложен механизм спектроскопии фононных мод в купратах, в основе которого лежит процесс неупругого туннелирования через примесные состояния в туннельном барьере. Резонансный характер такого туннелирования приводит к острым пикам в сопротивлении dV/dI контакта при eV = DELTA epsilon + K h bar omega_i, где h bar omega_i - энергии оптических фононов в диэлектрике, DELTA epsilon и K - постоянные. Амплитуда пиков в dV/dI возрастает при образовании двумерных кластеров примесных состояний, чему способствуют микроструктура купратов, а также жесткость волновой функции электронов в примесных подзонах. В контактах малых размеров проведение спектроскопических измерений возможно даже при комнатной температуре.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"