Методом комп'ютерного моделювання з використанням алгоритму молекулярної динаміки та класичних потенціалів досліджено реальну структуру поверхні Si(001), одержано криві радіального розподілу атомів і кутів між зв'язками, які показали, що за температур релаксації, які вищі за 900 К, чотири приповерхневі шари утворюють невпорядковану структуру. Ця структура характеризується наявністю аномальних кілець з кількістю вершин n = 2 symbol Ш 8 атомів та аномальних вузлів з обірваними зв'язками, призводить до хімічної активності та певної нестабільності цієї поверхні. Для стабілізації та поліпшення структури поверхні запропоновано застосовувати її радіаційне опромінення іонами з підпороговими енергіями.

• Максимова Тетяна Іванівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"