Получены Au-nSi-Al-структуры со встречновключенными выпрямляющими переходами и Au-nSi-структуры с охранными высокоомными слоями с перекрытием металла. Показано, что фоточувствительность Au-nSi-Al-структуры в коротковолновой области почти на порядок больше, чем в видимой области спектра. Создание в приповерхностной области Au-nSi-структуры активного слоя из более высокоомного слоя наряду с расширением спектрального диапазона повышает ее фоточувствительность. Полученные структуры представляют интерес для детектирования оптических сигналов.

Are received Au-nSi-Al-structure with a back-to-back straightening transitions and Au-nSi-structure with guard high-resistance layers with overlapping of metal. Is shown that the photosensitivity of Au-nSi-Al structure in short-wave area almost on theorder is more, than in seen area of a spectrum. So the given two-barrier structure is more interest like photo detector of the short-wave range. The light currents, and spectral characteristics modified Au-nSi structure with guard high-resistance layerswith overlapping of metal control by the applied voltage. The creation in superficial area of an active layer from more high-resistance layer together with expansion of a spectral range raises photosensitivity of Au-nSi structure.

Ключ. слова: структура, фоточувствительность, двухбарьерный, кремний.
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"