Экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур n(p)-HgCdTe/<$Eroman bold {SiO sub 2 "/"Si sub 3 N sub 4 }> и n(p)-HgCdTe/анодно-окисная пленка при различных частотах и направлениях развертки напряжения. Установлены особенности электрофизических характеристик, связанные с сопротивлением объема эпитаксиальной пленки и наличием приповерхностных варизонных слоев. Показано, что использование двухслойного диэлектрика <$Eroman bold {SiO sub 2 "/"Si sub 3 N sub 4 }> перспективно для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.

The dependencies of capacitance versus voltage for MIS-structures n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 and n(p)-HgCdTe/anodic oxide film were experimental investigated at various frequencies and directions of change of a voltage. The features of the electro-physical characteristics connected to resistance of volume epitaxial of a film and presence graded-band near surface of layers are established. Is shown, that use two-layer insulator SiO2/Si3N4 is perspective for passivation of a surface of matrix HgCdTe-photodiodes for infrared spectral range.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"