Показана возможность изготовления фототранзистора n - p - n-типа на основе двойной гетероструктуры окисел - InSe - окисел. Усиление фототока в фототранзисторе осуществляется только для толщин исходных образцов, сравнимых с диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Особенностью усиления является переход фототранзистора из высокоомного в низкоомное состояние при определенных напряжениях и уровне освещения. Чем выше уровень освещения, тем меньше напряжение перехода. Плотность токов через фототранзистор при таком переходе может достигать 60 - 100 мА/cм2.

A possibility of n-p-n-type phototransistor fabrication on the base of oxide-InSe-oxide double heterostructure is showed. A phototransistor photocurrent amplification is realized only for the initial samples thicknesses comparable with the minority carrier diffusion length. A peculiarity of the amplification is a transition of phototransistor from high-resistance into low-resistance state at some levels of voltage and illumination. The higher is illumination level the lower becomes the transition voltage. The phototransistor currents density at such transition can achieve 60-100 mA/cm2.

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"