Викладено засади резонансного тунелювання в квантово-розмірних структурах. Проаналізовано різні надвисокочастотні транзистори з резонансним тунелюванням. Розглянуто спільну роботу резонансного тунельного діоду с діодами, що мають ділянки з негативною диференціальною провідністю, зокрема, з обмеженням накопичування об'ємного заряду, діодами Ганна, тунельними діодами.

Изложены основы резонансного тунеллирования в квантово-размерных структурах. Проанализированы разные сверхвысокочастотные транзисторы с резонансным тунеллированием. Рассмотрена совместная работа резонансного тунельного диода с диодами, имеющими участки с негативной дифференциальной проводимостью, в частности, с ограничением накопления объемного заряда, диодами Ганна, тунельными диодами.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"