РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000039445<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Вербицкий В. Г. КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию <$Ebold gamma>-радиации / В. Г. Вербицкий, В. И. Золотаревский, Л. И. Самотовка, Б. А. Балай, А. Ф. Вощинкин, В. Л. Коба, Е. С. Товмач, А. А. Явецкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 6. - С. 4044. - Библиогр.: 4 назв. - рус. Приведены результаты проектирования и испытаний КМОП БИС 1834ВМ86 16-разрядного микропроцессора (функционального аналога n-канальной БИС 1810ВМ86) при воздействии накопленной дозы <$Egamma>-радиации до 106 рад. Рассмотрены особенности конструкции элементов, технологического процесса изготовления радиационно стойких БИС. Представлены значения основных электрических параметров БИС и пороговых напряжений n-канальных транзисторов до и после применения радиационно-термических обработок в процессе изготовления кристалла. The results of design of the 16-bit microprocessor 1834BM86 CMOS LSIC (the functional analog of the 1810BM86 n-channel LSIC) and its tests under influence of the accumulated to 106 rad ?-radiation dose have been given.The main features of the CMOS structure the most subjected to modifications under ?-radiation influence have been marked. Some peculiarities of elements' construction also some peculiarities of technological fulfilment process for radiation hardened LSIC have been considered. The significances of the main LSIC electrical parameters and n-channel transistors threshold voltage as to so after application of radiation and thermal manufacturing for crystal fulfilment process have been presented. Ключ. слова: КМОП БИС, п- и р-канальные МОП-транзисторы, радиационная стойкость, ?-излучение, микропроцессор, электрические параметры. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15 Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського