Проанализировано влияние отклонения исходного состава расплава от стехиометрии на концентрацию фоновых примесей в кристаллах полуизолирующего нелигированного GaAs, выращенных методом Чохральского с жидкостной герметизацией в камере низкого давления. Рассмотрены проблемы определения кинематических параметров шлифования кремниевых пластин на станке САШ-420М. Предложены процедура оптимизации параметров шлифования пластин, алгоритм управления параметрами процесса шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Освещены особенности термического разделения различных эмульсионных сред с учетом установленных закономерностей фазовых переходов и гидродинамики вихревого течения.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"