Белянин А. Ф. Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике / А. Ф. Белянин, М. И. Самойлович, К. А. Ковальский, К. Ю. Петухов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 4. - С. 46-54. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Рассмотрены конструктивные особенности распылительной системы установки магнетронного распыления и условия формирования пленок AlN и ZnO с контролируемым содержанием и строением кристаллической фазы. Показаны условия получения и эксплуатационные характеристики слоистых структур, включающих слои AlN, ZnO, алмаза и алмазоподобного углерода, при их применении в акусто- и эмиссионной электронике. The condition of obtaining and operating performances of layers structures including AlN, ZnO, diamond and diamond-like carbon for acoustic- and emission electronics are presented. Ключ. слова: наноматериалы, магнетронное распыление, слоистые структуры, акусто- и эмиссионная электроника. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|