Обсуждены проблемы проектирования схем считывания для матриц фотодиодов ИК-диапазона длин волн, предназначенных, например, для считывания и обработки информации от матричных приемников излучения на основе таких материалов как InSb, HgCdTe. Потенциальные функциональные возможности схем считывания рассмотрены с точки зрения применения современных проектных норм (0,25 - 1,2 мкм). Обсуждены некоторые характеристики спроектированной схемы считывания среднего формата для матриц фотодиодов <$E128~ times ~128> пикселов с использованием "умеренных" проектных норм 1,2 мкм.

Problems of readout devices design for IR photodiode arrays, e.g., on the base of InSb or HgCdTe for information read out and processing, are discussed. Read out devices potential resources are considered from the point of view of applying contemporary design rules (0,25-1,2 microns). Some characteristics of the designed read out device of medium format for 128?128 diode pixel array, which was designed using moderate design rules of 1,2 micron, are discussed.

• Рева Володимир Павлович (технічні науки)
• Рева Віктор Петрович (економічні науки)
• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"