Рассмотрены вопросы получения и исследования гетероструктур с квантовыми точками Ge на подложках Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изложены технологические особенности эпитаксиального роста и изучения структуры монослоев <$Eroman Si sub {1~-~x} roman Ge sub x> методом дифракции быстрых электронов. Показано, что применение промежуточных слоев <$Eroman Si sub {1~-~x} roman Ge sub x> позволяет регулировать размеры и плотность распределения квантовых точек по поверхности подложки.

• Чуйко Олексій Олексійович (1930–2006) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"