Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000045830<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Козырев Ю. Н. Структурные особенности эпитаксиальных гетероструктур с квантовыми точками Ge нa Si / Ю. Н. Козырев, М. Ю. Рубежанская, А. А. Чуйко; НАН Украины. Ин-т химии поверхности. - К., 2004. - 89 c. - Библиогр.: 157 назв. - рус.Рассмотрены вопросы получения и исследования гетероструктур с квантовыми точками Ge на подложках Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изложены технологические особенности эпитаксиального роста и изучения структуры монослоев <$Eroman Si sub {1~-~x} roman Ge sub x> методом дифракции быстрых электронов. Показано, что применение промежуточных слоев <$Eroman Si sub {1~-~x} roman Ge sub x> позволяет регулировать размеры и плотность распределения квантовых точек по поверхности подложки. Індекс рубрикатора НБУВ: В372,022 + В371.236,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА658590 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|