Предложена технология формирования переходных слоев силицида палладия твердофазной реакцией пленки палладия с кремниевой подложкой непосредственно в процессе напыления без применения последующей термообработки. Проведены исследования элементного состава и кристаллической структуры полученных слоев силицида, измерена высота потенциального барьера к кремнию n-типа. Показана возможность применения полученных слоев силицидов палладия для изготовления мощных диодов Шоттки.

The technique for palladium silicide transient layers formation by solid phase reaction between palladium film and silicon substrate during the film deposition process without its annealing afterwards has been proposed. Element composition and crystalstructure of the obtained silicide layers have been investigated and barrier height on n-type silicon has been measured. The application possibility of the formed palladium silicide layers for manufacturing power Schottky diodes has been illustrated.

Ключ. слова: диоды Шоттки, силицид палладия, термическое испарение, вольт-амперные характеристики.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Баранов Віталій Вячеславович (економічні науки)
• Баранов В'ячеслав Валерійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"