Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра.

The processes of CdSe epitaxy on GaTe layered substrate have been analyzed using by X-ray photoelectron spectroscopy (XPES). It was shown that epitaxy is accompanied by reactionary interaction of components followed by a diffusion of gallium atoms to the surface as well as forming Ga-Se bonds in respect to Ga-Te and Cd-Se components of XPES.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"