Розглянуто електродинамічні властивості нового типу поверхневих хвиль, що поширюються уздовж межі двох різних шарувато-періодичних структур. Отримано аналітичні формули для дисперсії цих хвиль та проведено числові розрахунки дисперсійних кривих поверхневих хвиль. Встановлено, що є два типа хвиль: поверхневі хвилі, дисперсійна крива яких асимптотично прямує до гібридних плазмових частот, та поверхневі хвилі між діелектричними зонами, коли <$Ew~>>>>~w sub { roman гибр }>. Досліджено залежність фазової швидкості залежно від частоти зіткнення в напівпровіднику. Показано, що збільшення мінімальної швидкості хвилі обумовлено зростанням частки енергії у шарі з більшою дисипацією.

Рассмотрены электродинамические свойства нового типа поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы двух различных слоисто-периодических структур. Получены аналитические формулы для дисперсии этих волн и приведены расчеты дисперсионных кривых поверхностных волн. Установлено, что имеется два типа волн: поверхностные волны, дисперсионная кривая которых асимптотически стремится к гибридным плазменным частотам, и поверхностные волны между диэлектрическими зонами, когда <$Ew~>>>>~w sub { roman гибр }>. Исследована фазовая скорость в зависимости от частоты столкновений в полупроводнике. Показано, что увеличение минимальной скорости волны обусловлено возрастанием доли энергии в слое с большой диссипацией.

The electrodynamics properties of new type of surface waves, which propagate along the boundary of two various layer periodic structures, were considered. The analytic formulas for dispersion of these waves were received and the accounts of dispersioncurves of surface waves were given. It was stated, that two types of waves were existed: surface waves, where dispersion curves asymptotically aspire to hybrid plasma frequencies, and surface waves between Дdielectric zones", when. The phase velocity in depend upon the collision frequency in semiconductor was investigated. It was shown, that increase of minimal wave velocity condition on growth of part of energy in layer with great dissipation.

• Ольховський Євгеній Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"