Наведено математичні моделі зростання шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, за яких швидкість зростання визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці. Досліджено газодинамічні процеси у реакторах та зростання шарів. Розглянуто питання про новий метод у теорії кінетичних властивостей кристалів. Наведено комп'ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п'єзо-термо-електрорушійних сил у мікрокристалах кремнію р-типу провідності за нестаціонарних температур і тиску. Висвітлено вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Розглянуто еволюцію дефектів структури в кристалах червоного дифосфіду цинку за умов опромінення та відпалу методом анігіляції позитронів та ідентування. За допомогою сучасної кінетичної теорії визначено природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"