На основе метода эффективного гамильтониана рассмотрены фундаментальные вопросы теории электронных явлений в кристаллах, искаженных малой слабонеоднородной деформацией с источниками топологических дефектов (дислокации). Предложен вывод эффективного гамильтониана из уравнения Шредингера для электрона в поле, создаваемом атомами, расположенными в узлах искаженной кристаллической решетки. Показано, что такой гамильтониан выводится только для многосвязного координатного пространства, из которого исключены области вблизи топологических дефектов, и окрестностей фиксированной точки импульсивного пространства. По сравнению с соответствующим оператором для идеального кристалла он содержит дополнительные члены, пропорциональные тензору дисторсии: деформационный потенциал и оператор второго порядка, интерпретированный как кинетическая энергия частицы с пространственно неоднородной эффективной массой в ряд конкретных задач об энергетическом спектре и динамике электронов штабного деформационного потенциала и перемещенной эффективной массы электронами проводимости в металлах и полупроводниках, описаны кинетические явления в деформированных проводниках и сверхпроводниках, зарождение сверхпроводящей фазы и некоторые свойства вихрей в деформированных сверхпроводниках вторго рода.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"