Храмов Е. Ф. Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении <$Egamma>-квантами / Е. Ф. Храмов, Г. В. Прохоров, Н. М. Пелихатый, А. К. Гнап // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 2. - С. 58-60. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Установлено, что проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники. This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with ? - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|