Розглянуто параметри пасивуючої плівки на літії в неводних електролітах. Для оцінки процесів, що тривають на межі літій/неводний електроліт, використано метод електродного імпедансу. Параметри плівки визначено з позицій її напівпровідникової природи з урахуванням параметрів просторового заряду, поверхневих рівнів, об'ємного опору плівки. Компоненти еквівалентної схеми розраховано з використанням графоаналітичного методу і математичного моделювання. Порівняння динаміки зміни опору і ємності показало, що в ході формування плівки одночасно зі збільшенням товщини зменшується її провідність.

Рассмотрены параметры пленки, пассивирующей поверхность лития в неводных электролитах. Для оценки процессов, протекающих на границе литий/неводный электролит, использован метод электродного импеданса. Параметры пленки определялись с позиций ее полупроводниковой природы с учетом параметров пространственного заряда, поверхностных уровней, объемного сопротивления пленки, импеданс Варбурга по переносу зарядов в объеме пленки. Компоненты эквивалентной схемы рассчитаны сочетанием графоаналитическогометода и математического моделирования. Сопоставление динамики изменения сопротивления и емкости показало, что в процессе формирования пленки одновременно с ростом толщины уменьшается ее проводимость. Это происходит за счет изменения концентрации и подвижности носителей заряда. Предложен подход, позволяющий установить расположение зоны роста пассивирующей пленки.

Parameters of the film passivating lithium surface in non-aqueous electrolytes have been considered. To estimate the processes proceeding at the lithium/non-aqueous electrolyte interface the method of electrode impedance has been used. Parameters of film were determined in terms of its semiconductor nature. The parameters of space charge, surface levels, volume resistance of film were taken into consideration. Equivalent circuit components were calculated by the combination of grapho-analytic method and mathematical modeling. Comparison of the dynamics of resistance and capacity changing has shown that in the process of film formation its conductivity decreases simultaneously with a thickness growth. This is due to the change of concentration and mobility of charge carriers. The approach enabling establishment of the location of passivating film growth zones is proposed.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"