Електроніка / ред.: Д. Заячук. - Л., 2002. - 223 с. - (Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка; N 455). - укp.Наведено результати експериментальних досліджень процесів імпульсного реактивного лазерно-магнетронного напилення тонких шарів AIN, AIN : Mn та формування їх структурних і катодолюмінесцентних характеристик. Встановлено, що основними технологічними факторами, які визначають властивості конденсату, є густина потужності лазерного імпульсу, температура підкладки, тиск азоту в реакційній камері та потужність паро-плазмового розряду. Проаналізовано вплив ізовалентної домішки Bi на параметри росту кристалів InSb, а також вплив високоенергетичного <$Egamma>-випромінювання на оптичні властивості халькогенідних стекол системи As - Sb - S. Розглянуто метод оптимізації дисперсійних характеристик тонкоплівкових оптичних матеріалів. Особливу увагу приділено технології та виробництву елементів, приладів та систем електронної техніки, а також техніки напівпровідникових металів, діелектриків та рідких кристалів. Приведены результаты экспериментальных исследований процессов импульсного реактивного лазерно-магнетронного напыления тонких слоев AIN, AIN:Mn и формирования их структурных и катодолюминисцентных характеристик. Установлены основные технологические факторы, определяющие свойства конденсата: плотность мощности лазерного импульса, температура подкладки, давление азота в реакционной камере и мощность паро-плазмового разряда. Проанализировано влияние высокоэнергетического <$Egamma>-излучения на оптические свойства халькогенидных стекол системы As - Sb - S. Рассмотрен метод оптимизации дисперсионных характеристик тонкопленочных оптических материалов. Особое внимание уделено технологии и производству элементов, приборов и систем электронной техники, а также техники полупроводниковых металлов, диэлектриков и жидких кристаллов. Індекс рубрикатора НБУВ: З8/9 я54(4УКР)3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|