Ажажа В. М. Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники / В. М. Ажажа, Г. П. Ковтун, И. М. Неклюдов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2002. - № 6. - С. 3-6. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и других металлов. Приведены результаты исследований стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|