Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения и разработанные температурные сенсоры, которым характерные высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.

We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakageand generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.

• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Шварц Марина Михайлівна (фізико-математичні науки)
• Максименко Анна Григорівна (економічні науки)
• Сапон Сергій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"