Новосядлый С. П. Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С. П. Новосядлый // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2002. - № 6. - С. 57-63. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5 - 0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<$E symbol Г>0,05 см<^>-2), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si-SiO2 и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|