Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На базе модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки изфталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации.

Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is theorganic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"