Казаков А. И. Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO2-Nd2O3 / А. И. Казаков, А. В. Андриянов, В. С. Миронов, О. В. Поляруш // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO2-Nd2O3, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Установлено, что данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использованы для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO2-Nd2O3. The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO2-Nd2O3, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results ofexperiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HfO2-Nd2O3.Z Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326 + З843.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|