Терлецкая Л. Л. Структуры на основе гетероперехода "кремний-арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л. Л. Терлецкая, Л. Ф. Калиниченко, В. В. Голубцов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 2. - С. 51-53. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p+-Si-n-Si-p-Si-n+-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур. The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p+(Si)-n(Si)-p(Si)-n+(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|