Предложена методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука (f=5 10 МГц, W<104 Вт/м<^>2). На модельных образцах нейтронно легированного Ge (ГЭС-45, Фn?1015 см<^>-2) проведен изохронный отжиг радиационных дефектов. Представлены сравнительные результаты измерения электрофизических параметров (методом Холла в диапазоне Т=77-300 К). Установлено, что механизм УЗ-воздействия сводится к ускорению диффузии точечных дефектов за счет снижения энергии активации и повышения концентрации неравновесных дефектов.

An original annealing method of semiconductors in the terms in-situ an ultrasound influence (f=5?10 МHz, W<104 W/m2) is described. On the model samples of a neutron-transmutation Ge (Фn?1015 cm-2) the isochronal annealing of the radiation defects (Тan=90?460°С, t=30 min, ?Тan= 30°С) is realized. The comparative results of measurements of electrical parameters (by Hall method in Т=77?300 К range) are presented. It is finding that the US influence mechanism have been reduced to an acceleration of the point defects diffusion. It is argued that this is the result of the activation energy decrease and the increase of the non-equilibrium defects concentration

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"