Запропоновано механізми утворення атомних дефектів у плівках PbSe<$E<< roman Pb>>>:Tl і PbSe<$E<< roman Se>>>:Bi, вирощених із парової фази методом гарячої стінки. Показано, що основними дефектами у разі легування талієм є однозарядні акцепторні атоми талію [<$Eroman {Tl sub i sup - }>] і вакансії селену [<$Eroman {V sub Se sup 2+ }>]. Домішка вісмуту проявляє амфотерні властивості, заміщує атоми як у катіонній [<$Eroman {Bi sub Pb sup + }>], так і у аніонній [<$Eroman Bi sub Se sup - >] підгратках основної матриці. Визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення дефектів.

Mechanisms formation of atomic defects on PbSe:Tl and PbSe:Bi films, grown by vapour phase of hot-wall methods are proposed. Is shown, that basic defects by doping of thallium are one-charge acceptor atomics of thallium [Tli?] and vacancy of selenium [VSe2+]. The bismuth impurity show the amphoterism properties, substitution atomics as on cation [BiPb+], as on anion [BiSe?] sublattices by basic matrix. The equilibrium constants of quasichemical reaction of defects formation are determined

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"