У роботі подано результати розрахунку дрейфових характеристик напівпровідникових структур на основі GaAs та Si, які були отримані з урахуванням процесів розігріву кристала струмом вільних носіїв заряду. Показано що в режимі великих струмів динаміка росту швидкості дрейфу залежить від розігріву напівпровідникової структури

В данной работе представлены результаты расчета дрейфовых характеристик полупроводниковых структур на основе GaAs и Si, полученные с учетом процессов разогрева кристалла током свободных носителей заряда. Показано, что в режиме больших токов динамика роста скорости дрейфа меняется при учете разогрева полупроводниковой структуры

In the given work the results of calculation of drift characteristics of semi-conductor structures on the basis of GaAs and Si are presented. The results are received with regard to the processes of heating of a crystal by the current of free carriersof a charge. It has been shown that in the mode of big currents, the growth of the drifting velocity depends on the heating of a semiconductor structure

• Терещенко Вікторія Юріївна (юридичні науки)
• Шадрін Андрій Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"