Досліджено вплив інтеркаляції воднем моноселеніду індію на електричні властивості фоточутливих структур на його основі типу метал-діелектрик-напівпровідник (МДН) та діода Мота (ДМ). Установлено, що інтеркаляція воднем базового напівпровідника приводить до покращення діодних властивостей МДН-структури, і погіршення - для ДМ. Проведено аналіз механізмів струмопереносу для обох типів структур на основі їх зонних діаграм.

The influence of hydrogen intercalation on indium monoselenide is investigated measuring electrical properties of based on it photosensitive structures to metal-insulator-semiconductor (MIS) and Mott diode (MD). It is established that intercalation ofthe basic semiconductor with hydrogen leads to the improvement of diodic properties of the MIS structures whereas those for the DM structure becomes worse. For the both structures current transport mechanisms are analyzed on the basis of their band diagrams

• Драпак Степан Іванович (фізико-математичні науки)
• Камінський Владислав Миколайович (військові науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Нетяга Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"