Рувінський М. А. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність квантового напівпровідникового дроту / М. А. Рувінський, Б. К. Остафійчук, Б. М. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 3. - С. 440-443. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.Одержано вирази для часу релаксації і рухливості електронів та статичної електропровідності квантового напівпровідникового дроту з урахуванням значення випадкового поля, зумовленого гауссівськими флуктуаціями товщини дроту. Розглянуто вплив сильного квантуючого магнітного поля, напрямленого вздовж довжини дроту. Установлено, що у невиродженому випадку за низьких температур рухливість електронів <$Eroman {u sub n }> ~ <$Eroman T sup 1"/"2>. The expressions for a relaxation time, an electron mobility and static conductivity of a quantum semiconducting wire, which are determined by a random field conditioned by Gaussian fluctuations of wire thickness are obtained. The influence of a strongquantizing magnetic field directional along length of a wire is considered. In a nondegenerate case and low temperatures electron mobility un ~ T1/2 Ключ. слова: гауссівські флуктуації, квантовий напівпровідниковий дріт, час релаксації, рухливість, статична електропровідність Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|