Аналізуються імпедансні характеристики одночасно працюючих діодів, що мають негативну диференціальну провідність в широкому діапазоні частот. Показано, що кожна зв'язка діодів з диференціальною провідністю має свій діапазон частот, в якому ці діоди можуть працювати одночасно на одній частоті. Зв'язка резонансно тунельного діода InGaAs/AlAs з діодом із обмеженням накопичення об'ємного заряду працює в діапазоні частот 50 - 100 ГГц, а зв'язка тунельний діод з діодом Ганна в діапазоні частот 25 - 40 ГГц

Анализируются импедансные характеристики совместно работающих диодов с отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот. Показано, что каждая связка диодов с отрицательной дифференциальной проводимостью имеет свой диапазон частот, в котором эти диоды могут совместно работать на одной частоте. Cвязка резонансно-туннельного диода InGaAs/AlAs с диодом с ограничением накопления объемного заряда работает на частотах 50-100 ГГц, а связки туннельного диода с диодом Ганна в диапазоне частот 25-40 ГГц

The impedance of the connected in series negative difference conductivity (NDC) diodes in the wide frequency range are analyzed. It is shown that each combination of NDC diodes corresponds the frequency range where these diodes can jointly work at onefrequency. The operation frequencies for combination of InGaAs/AlAs resonance tunnel diodes and LSA diode are 50-100 GHz, for combination of the resonance tunnel diodes and Gunn diodes are 25-40 GHz

• Боцула Олег Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"