РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000070508<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Генцарь П. О. 
Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок n-GaAs методом електровідбивання / П. О. Генцарь, Л. О. Матвеєва, Л. А. Демчина, Є. Ф. Венгер // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 2. - С. 237-242. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.

Методом електровідбивання (ЕВ) досліджено гомоепітаксійні плівки n-GaAs (100) з концентрацією електронів <$Eroman {n~=~10 sup 14 ~-~5~ cdot ~10 sup 18 ~см sup -3 }> при Т = 300 К в неполяризованому світлі. На підставі одержаних даних показано, що за концентрацій електронів <$Eroman {n~ symbol У ~5~ cdot ~10 sup 16 см sup -3 }> на довгохвильовому крилі основної смуги <$Eroman Е sub 0> спостерігається додатковий екстремум. Визначено, що наявність цього екстремуму спричинено електрооптичним ефектом заповнення донорних рівнів, що пояснює форму та амплітуду додаткової смуги. За результатом кількісного аналізу експериментальних даних оцінено напруженість вбудованого електричного поля, час енергетичної релаксації збуджених світлом носіїв заряду та їх рухливість. Установлено залежність параметру розширення від концентрації носіїв заряду.

Homoepitaxial films of GaAs (100) with concentration of electrons n = 1014 - 5·1018 cm-3 were investigated at T = 300 K by electroreflectance method using unpolarized light. The results obtained show that an additional extremum appears on the long wavelength wing of E0 band at the concentration of electrons n = 5·1016 cm-3. This extremum is related to the electrooptical effect of donor levels' population that explains both the shape and amplitude of the additional band. Using the numerical analysis of the experimental data we estimated the built-in electrical field, energy relaxation time of the optically excited carriers and their mobility. The dependence of the broadening parameter on the carrier concentration is analyzed


Ключ. слова: епітаксійні плівки, електровідбивання, ефект Келдиша-Франца, електрооптична енергія
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В372.14

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського