Гасанов А. М. Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры / А. М. Гасанов, Ф. Д. Касимов, А. Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 5. - С. 29-31. - Библиогр.: 4 назв. - ^apyc.Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носителей в окисле на границе раздела Si-SiO под влиянием локального давления, а вызвано также и уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту. The influence of local anisotrophic pressure on the silicon MOS-structure investigated. The negatron circuit of converting pressure in frequency for remote measurement is offered. Ключ. слова: негатрон, МОП-структура, локальное давление, упругие механические напряжения, ширина запрещенной зоны. Індекс рубрикатора НБУВ: З264.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|