Розглянуто фізичні, теплові та оптичні властивості напівпровідникових матеріалів, розкрито суть поняття кристалічної гратки. Висвітлено фізичні принципи роботи теорії p-n-переходів, визначено вольт-амперні характеристики ідеальних і реальних p-n структур, розглянуто вплив контактів та стану поверхні на їх властивості. Охарактеризовано напівпровідникові діоди: випрямні, імпульсні, надвисокочастотні, тунельні, а також діоди Шотткі, Ганна.

Рассмотрены физические, тепловые и оптические свойства полупроводниковых материалов, раскрыто содержание понятия кристаллической решетки. Освещены физические принципы работы интегральних схем p-n-переходов, определены вольт-амперные характеристики идеальных и реальных p-n структур, рассмотрено влияние контактов и состояния поверхности на их свойства. Охарактеризованы полупроводниковые диоды: выпрямленные, импульсные, сверхвысокочастотные, туннельные, а также диоды Шоттки, Ганна.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2я73-1

Шифр НБУВ: ВА643224 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Осадчук Владимир Степанович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"