Викулин И. М. Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники / И. М. Викулин, В. И. Ирха, Б. В. Коробицын, В. Э. Горбачев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 3. - С. 38-39. - Библиогр.: 8 назв. - ^apyc.Обсуждена связь оптимальных геометрических характеристик и спектров электролюминесценции р-n-структур для их применения в качестве светоизлучающих диодов или фотоприемников. Рассмотрена возможность использования электролюминесценции р-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников. Показано применение обнаруженных зависимостей на примере арсенидгаллиевых р-n-структур. The relations of the optimum geometrical characteristics of the p-n-structures for their usage as a light-emitting diodes or a photodetectors is considered. The possibility of using of an electroluminescence of p-n-structures for operational development them at manufacture of photodetectors is surveyed. The application of detected dependences for an example gallium arsenide p-n-structures is shown. Ключ. слова: светодиод, фотодиод, доводка, эффективность. Індекс рубрикатора НБУВ: З861 + З854.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|