Обсуждена связь оптимальных геометрических характеристик и спектров электролюминесценции р-n-структур для их применения в качестве светоизлучающих диодов или фотоприемников. Рассмотрена возможность использования электролюминесценции р-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников. Показано применение обнаруженных зависимостей на примере арсенидгаллиевых р-n-структур.

The relations of the optimum geometrical characteristics of the p-n-structures for their usage as a light-emitting diodes or a photodetectors is considered. The possibility of using of an electroluminescence of p-n-structures for operational development them at manufacture of photodetectors is surveyed. The application of detected dependences for an example gallium arsenide p-n-structures is shown.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"