Касимов Ф. Д. Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники / Ф. Д. Касимов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 5. - С. 5-8. - Библиогр.: 8 назв. - ^apуc.Показано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники - нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин с передачей сигналов на расстояние. Изложен взгляд на перспективы использования микроэлектронной негатроники, в том числе бионегатроники. The concept of construction of a national network for the first time is developed on the basis of radio aids of broadband wireless access. The concept is represented as set of a wireless telecommunication means of provision of information services, and also wireless transport and separate corporate networks and access networks. Structurally concept considers a wireless network as a set of the hierarchical interconnected levels with a different information saturation. Ключ. слова: отрицательное сопротивление, микроэлектронная негатроника, переключение, высокоомное и низкоомное состояния, гальваномагниторекомбинационный эффект, полупроводниковая индуктивность. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|