Описаны конструкция и технология изготовления диодов Ганна для применения в КВЧ-терапии. Рабочая частота 42 ГГц, выходная мощность более 1 мВт при рабочем токе меньше 120 мА. Диоды изготовлены из эпитаксиальных структур GaAs типа n-n+. Толщина n-слоя 2,4-2,6 мкм, концентрация носителей (8-9)·1015 см-3. В качестве катода применялся многослойный контакт Ge-Au-TiB2-Au. Формирование омического контакта на поверхность n-слоя создает неоднородность, которая способствует зарождению в этом месте домена.

The article deals with design and technology of Gunn diodes production to be used for EHF-therapy. Operating frequency is 42 GHz, output power more than 1 mW at operating currency less than 120 mA. Diodes are made of GaAs epitaxial structures of n-n+ type. Thickness of n-layer is 2,4-2,6 ?m, carrier density (8...9)·1015 cm-3. As a cathode multilayer contact Ge-Au-TiB2-Au is used, which was applied layer to layer on n-layer surface by magnetron sputtering method in argon atmosphere. Ohmic contact formation on n-layer surface sets up inhomogeneity that provides domen generation in this place.

• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"