Досліджено зміни в кристалічній структурі приповерхневих шарів плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ) товщиною 2,9 мкм, імплантованих іонами <$Eroman В sup +> з енергією 80 кеВ в інтервалі доз <$E1~ cdot ~10 sup 14 ~-~1~ cdot ~10 sup 15 ~ roman см sup -2>. Установлено, що в межах доз <$E1~ cdot ~10 sup 14 ~ roman {см sup -2 ~-~1~ cdot ~10 sup 15 ~см sup -2 }>, профілі відносної зміни міжплощинної відстані змінюються від монотонно-спадного за умов <$Eroman {D~=~1~ cdot ~10 sup 14 ~см sup -2 }> до немонотонного за <$Eroman {D~ symbol У ~ 3~ cdot ~10 sup 14 ~см sup -2 }>, що є спричиненим різною швидкістю росту з дозою складових профілів, які описують зміни міжплощинної відстані в іонно-імплантованому шарі за рахунок ядерних та електронних енергетичних втрат.

The crystal structure of boron implanted YIG surface layer changed was investigated. Profiles of implanted layers interplanar distance changed from monotonically descending to nonmonotonic at dose implantation ( 3·1014cm-2. This result was explained by the domination of different mechanism interplanar distance changes in process of increasing implanted ions dose

• Яремій Іван Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"