Побудовано поверхню рівних швидкостей розчинення (діаграма Гібса) і вивчено механізм хімічної взаємодії GaSb з розчинами системи <$Eroman {H sub 2 O sub 2 ~-~HCl~-~CH sub 3 COOH}>. Показано, що основним окисним агентом є хлор і, можливо, хлорвмісні сполуки, що утворюються під час взаємодії компонентів травильної композиції. Установлено, що процес розчинення GaSb у зазначених розчинах визначається переходом у розчин сполук стибію, одночасно відбувається хімічне окисно-відновне та електрохімічне розчинення. Розчини системи <$Eroman H sub 2 O sub 2 ~-~HCl~-~CH sub 3 COOH}> можуть бути основою для розробки поліруючих травильних композицій з невеликою швидкістю розчинення GaSb.

The surface of equal etching rate (Gibbs diagram) was constructed and the mechanism of chemical interaction of GaSb with the solutions of the H2O2-HCl-CH3COOH system was investigated. It was shown that chlorine and possibly chlorine-containing compounds, forming at the interaction of etchant components, are the main oxidizing agents. It was established that GaSb dissolution in such solutions are determined by the antimony compound, forming at the interaction. It is necessary indicate that the chemical oxidizing dissolutions as well as the electrochemical dissolution take place simultaneously. The solutions of the H2O2-HCl-CH3COOH system can be used as a base for the preparing of polishing etching compositions with small rate of GaSb dissolution

• Томашик Василь Миколайович (хімічні науки)
• Чернюк Олександр Сергійович (хімічні науки)
• Томашик Зінаїда Федорівна (хімічні науки)
• Кусяк Наталія Володимирівна (1974–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"