Досліджено основні фотоелектричні властивості анізотропних гетеропереходів, одержаних термічним окисненням монокристалічних підкладинок. Залежності напруги холостого ходу та струму короткого замикання від рівня освітленості пояснюються у межах теорії лінійної генерації фотоносіїв з урахуванням фотопровідності високоомної бази діодної структури. Фотострум зумовлений генерацією нерівноважних носіїв під дією опромінення в області просторового заряду гетеропереходу через локальні глибокі центри.

The basic photoelectric characteristics of the anisotropic heterojunctions that were created by a thermal oxidizing of monocrystal substrates was investigated. Influence of a floating voltage and a short-circuit current on a illumination level explains within the framework of the linear generation theory of photocarriers. A photoconduction of high-resistance basis of the diode structure is taking in to account. The photocurrent is caused by generation of nonequilibrium carriers at illumination in thespatial charge area of a heterojunction through local deep centers

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Янчук Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"