У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено механізм та кінетику хімічної взаємодії GaAs та GaSb з розчинами систем H<$Eroman {NO sub 3 ~-~HBr(HCl)~-~H sub 2 O}>. Визначено основні закономірності хімічного травлення вказаних напівпровідникових матеріалів і побудовано поверхні однакових швидкостей розчинення, встановлено вплив співвідношення HBr/<$Eroman HNO sub 3> в розчинах <$Eroman {HBr~-~HNO sub 3 ~-~H sub 2 O}> на швидкість полірування поверхні GaAs та GaSb. За допомогою вимірювання потенціалів саморозчинення GaSb, Sb та Ga в розчинах <$Eroman {HBr~-~HNO sub 3 ~-~H sub 2 O}> встановлено причину утворення елементарного стибію на його поверхні в результаті хімічного травлення галій стибіду.

Kinetics and mechanism of chemical interaction of GaAs and GaSb with the solutions of the HNO3-HBr(HCl)-H2O systems in reproducible hydrodynamics conditions has been investigated. The main regularities of chemical etching of mentioned above semiconductor compounds were determined and surfaces of equal etching rates were built. The influence of the HBr/HNO3 ratio in the solutions HBr-HNO3-H2O on the GaAs and GaSb etching rates has been determined also. The reason of elementary antimony formation on the surface of GaSb at its chemical etching in the solutions HBr-HNO3-H2O were determined using the measurements of self-dissolution potentials of GaSb, Sb and Ga in the such etching compositions

• Чернюк Олександр Сергійович (хімічні науки)
• Томашик Зінаїда Федорівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"