За відтворюваних гідродинамічних умов досліджено характер хімічного розчинення монокристалів InAs та GaAs уF розчинах систем <$Eroman {H sub 2 O sub 2 ~-~HNO sub 3 }>, <$Eroman {H sub 2 sub O 2 ~-~H sub 3 PO sub 4 }>, <$Eroman H sub2 O sub 2 ~-~HCl> і <$Eroman H sub 2 O sub 2 ~-~H sub 2 SO sub 4 >. Визначено основні закономірності хімічного травлення вказаних напівпровідникових матеріалів та встановлено концентраційні межі розчинів, що можуть бути використані під час розробки травильних композицій для хіміко-динамічного полірування InAs та GaAs.

The nature of chemical dissolution of InAs and GaAs single crystals in the solutions of the H2O2-HNO3, H2O2-H3PO4, H2O2-HCl and H2O2-H2SO4 systems in reproducible hydrodynamics conditions has been unvestigated. The main pecularities of chemical etching of these semiconductor materials and concentration regions of solutions which can be used for the development of etching compositions fot the chemico-dynamic polishing of InAs and GaAs were determined

• Томашик Зінаїда Федорівна (хімічні науки)
• Лукіянчук Едуард Михайлович (хімічні науки)
• Томашик Василь Миколайович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"