На основании результатов исследования вольт-амперных характеристик и нестационарных переходных процессов выяснены механизмы эффектов переключения и памяти в Al - <$Eroman SiO sub 2> - Si-структурах, возможность их практического применения в создании стабильных и управляемых элементов памяти.

Complex of techniques: volt-ampere, nonstationary transient behaviour, are found out mechanisms of effect of switching and memory in Al-SiO2-Si structures, an opportunity of their practical use in creation of stable and controlled switches and memory element.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"