Підвищення гідростатичного стиску (ГС, вверх до 1,1 ГПа) застосовано за 720 K у кремнії, одержаному методом Чохральського, осадженого в атмосфері водню, гелію (Cz-Si : H,He) або азоту (Cz-Si : N) до <$ED~=~1~ times ~10 sup 17 ~ roman cм sup -2> за енергій E = 135 - 150 кеВ, і до рекомендованої дози осадження (<$ED~=~2~ times ~10 sup 16 ~ roman cм sup -2>) зони топлення під час вирощування кремнію (Fz-Si : He і Fz-Si : N), тиск прикладали до виникнення ефекту на структурній досконалості у приповерхневих пластах Si. Виявлено сильне порушення цих пластів за умов найсильніших тисків, особливо у Cz-Si : H,He, водночас утворення термічних донорів було ТС-стимульоване у Cz-Si : H,He та в Cz-Si : N. Запропоновано якісне пояснення ефектів, спричинених стиском.

Enhanced hydrostatic pressure (HP, up to 1.1 GPa) applied at 720 K to Czochralski silicon, implanted with hydrogen and helium (Cz-Si:H,He) or with nitrogen (Cz-Si:N) to a dose D = 1x1017cm-2 at energies E = 135-150 keV, and to reference low dose implanted (D = 2x1016cm-2) floating zone grown silicon (Fz-Si:He and Fz-Si:N), exerts pronounced effect on the structural perfection of the near surface Si layers. These layers were more disturbed in the case of the highest applied pressures, especially in Cz-Si:H,He, while creation of thermal donors was HP- stimulated both in Cz-Si:H,He and Cz-Si:N. Qualitative explanation of pressure induced effects is proposed

Ключ. слова: silicon surface layers, hydrostatic pressure, implantation, defects
Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5

Рубрики:

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"