Досліджено добротності власних коливань аксіально шаруватої структури, що складається з шару діелектрика, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічній поверхні на деякій прицільній відстані досліджуваного зразка діелектрика призводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної та уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив типу діелектрика, його товщини та прицільної відстані на частоту і добротність резонансу для різних типів коливань. Одержано залежності зміни частоти та крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксіально шаруватою структурою, від товщини і типу діелектрика.

Исследованы добротности собственных колебаний аксиально слоистой структуры, состоящей из слоя диэлектрика, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности на некотором прицельном расстоянии исследуемого образца диэлектрика приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние типа диэлектрика, его толщины и прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса для различных типов колебаний. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально слоистой структурой, от толщины и типа диэлектрика.

The Q-factors of eigenoscillations of axial-flaky structure consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially shielded half-disk dielectric resonator are investigated. Established that at carrying in the resonator field parallel to its side surface at the some sighting distance the investigated sample of dielectric leads to resonator frequency and its Q-factor change the more the values of imagine and real parts of investigated material permittivity higher. The influence of dielectric type its thickness and sighting distance on frequency and resonant Q-factor for the different oscillation types are investigated. The dependences of frequency and steepness of electron tuning of self-excited oscillator on basis of Gunn-effect diode that stabilized of axial-flaky structure change on dielectric type and thickness are obtained.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"